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導讀： 由于有周恩來主持制定的科學規(guī)劃，新中國的集成電路產(chǎn)業(yè)起步和發(fā)展，在帝國主義的封鎖下開了個好頭，經(jīng)過20余年的辛勤奮斗，盡管與世界發(fā)達水平還有一定距離，但也是碩果累累。截至70年代末，中國科研人員和產(chǎn)業(yè)工人發(fā)揚自力更生、自強不息的精神，建成了中國自己的半導體工業(yè)，基本掌握了從單晶制備、設備制造、集成電路制造的全過程技術(shù)。在當時，只有美國、蘇聯(lián)掌握從單晶制備、設備制造、集成電路制造的全過程技術(shù)，雖然日本技術(shù)很強，但個別領域被美國限制和閹割。而此時，韓國、臺灣才剛剛起步。正是在自力更生、艱苦奮斗的精神和公有制體

新中國建國后的第一個三十年，我國計算機和集成電路事業(yè)在自主趕超路線的主導和公有制科研、生產(chǎn)體系的統(tǒng)籌下，從無到有，初步建立起了獨立完整的產(chǎn)業(yè)體系，不斷縮小與日本、美國的差距，比韓國起步早，發(fā)展快，對今天的芯片產(chǎn)業(yè)自主研發(fā)仍有重要的啟示。

對鋼鐵技術(shù)產(chǎn)業(yè)、電子信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)都做過專門研究的老一代革命家馬賓（原鞍鋼總經(jīng)理、總工程師，改革開放后歷任冶金工業(yè)部副部長、國家進出口委員會副主任、國務院經(jīng)濟研究中心副總干事等）早在90年代初指出，“如果說集成電路是電子信息產(chǎn)業(yè)的核心，那么繼承電路生產(chǎn)的支撐產(chǎn)業(yè)就是電子信息工業(yè)的基礎?！薄癐C產(chǎn)品的競爭，實際上是制造設備的競爭”，從65-78年，“產(chǎn)業(yè)內(nèi)各行業(yè)是同步發(fā)展的，并已建立了較完整的設備、儀器、材料、科研、生產(chǎn)的體系”。

1、科研和生產(chǎn)布局：集中攻關(guān)，遍地開花

科研和生產(chǎn)配置方面，早在建國初期，1950年抗美援朝戰(zhàn)爭爆發(fā)后，為解決軍隊電子通信問題，國家成立電信工業(yè)管理局，在北京酒仙橋籌建北京電子管廠（京東方前身），由民主德國（東德）提供技術(shù)援助。酒仙橋還建起了規(guī)模龐大的北京電機總廠、華北無線電器材聯(lián)合廠（下轄706、707、718、751、797、798廠）、北京有線電廠（738廠）、華北光電技術(shù)研究所等單位。在1952年，中國便成立了電子計算機科研小組，由當時的數(shù)學研究所所長華羅庚負責。

1956年，中國提出“向科學進軍”，國家制訂了發(fā)展各門尖端科學的“十二年科學技術(shù)發(fā)展遠景規(guī)劃”，把計算機列為發(fā)展科學技術(shù)的重點之一，并籌建了中國第一個計算技術(shù)研究所。根據(jù)國外發(fā)展電子器件的進程，提出了中國也要研究發(fā)展半導體科學，把半導體技術(shù)列為國家四大緊急措施之一。從半導體材料開始，自力更生研究半導體器件。為了落實發(fā)展半導體規(guī)劃，中國科學院應用物理所首先舉行了半導體器件短期訓練班。請回國的半導體專家內(nèi)昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導體理論、晶體管制技術(shù)和半導體線路。參加短訓班的約100多人。

當時國家決定由五所大學-北京大學、復旦大學、吉林大學、廈門大學和南京大學聯(lián)合在北京大學半導體物理專來，共同培養(yǎng)第一批半導體人才。五校中最出名的教授有北京大學的黃昆、復旦大學的謝希德和吉林大學的高鼎三。1957年就有一批畢業(yè)生，其中有現(xiàn)在成為中國科學院院士的王陽元（北京大學）、工程院院士的許居衍（華晶集團公司）和電子工業(yè)部總工程師俞忠鈺等人。之后，清華大學等一批工科大學也先后設置了半導體專業(yè)，培養(yǎng)了大批專業(yè)人才。

1958年，上海組建華東計算技術(shù)研究所，及上海元件五廠、上海電子管廠、上海無線電十四廠等企業(yè)。使上海和北京，成為中國電子工業(yè)的南北兩大基地。1960年，中國科學院在北京成立半導體研究所，集中了王守武博士、黃昆博士、林蘭英博士等著名海外歸國專家。同年組建河北半導體研究所（后為中電集團第13所），進行工業(yè)技術(shù)攻關(guān)。

到六十年代初，中國半導體器件開始在工廠生產(chǎn)。此時，國內(nèi)搞半導體器件的已有十幾個廠點。當時北方以北京電子管廠為代表，生產(chǎn)了II-6低頻合金管和II401高頻合金擴散管；南方以上海元件五廠為代表。

1961年我國第一個集成電路研制課題組成立。1962年由中科院半導體所，組建全國半導體測試中心。1963年中央政府組建第四機械工業(yè)部，主管全國電子工業(yè)（1982年改組為電子工業(yè)部），由通信專家王諍中將任部長。1968年，我國組建國營東光電工廠（878廠）、上海無線電十九廠，至1970年建成投產(chǎn)，形成中國IC產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。

中國早期電子工業(yè)，主要以軍事項目為牽引，研制軍用航空電子設備、彈道導彈控制設備、核武器配套電子設備、軍用雷達、軍用通訊器材、軍用電子計算機等產(chǎn)品。1958年開始研制東方紅衛(wèi)星后，又將防輻射級太空電路列入研究項目。民用電子產(chǎn)品以收音機為主。70年代初，受國內(nèi)外微電子業(yè)迅速發(fā)展的影響，加上集成電路的利潤豐厚，國內(nèi)出現(xiàn)一股電子熱潮，全國建設了四十多家集成電路工廠，包括四機部下屬的749廠（甘肅天水永紅器材廠）、871廠（甘肅天水天光集成電路廠）、878廠（北京東光電工廠）、4433廠（貴州都勻風光電工廠）和4435廠（湖南長沙韶光電工廠）等，各省市另外投資建設了大批電子企業(yè)，為以后進行大規(guī)模集成電路的研究和生產(chǎn)提供了工業(yè)基礎。

2、科研和生產(chǎn)成果：自力更生，逐漸縮小同國外差距

在科研和生產(chǎn)成果上，前三十年我國整體上緊跟世界相關(guān)領域的先進成就，不斷縮小同發(fā)達國家的距離，下面是幾個具有標志性的成果比較：

1957年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學院應用物理研究所和二機部十局第十一所開發(fā)鍺晶體管。當年，中國相繼研制出鍺點接觸二極管和三極管（即晶體管）。國外最早是在1947年，美國貝爾實驗室發(fā)明了半導體點接觸式晶體管。中外差距：10年。

1963年（一說1962年），河北省半導體研究所制成硅平面型晶體管。平面工藝技術(shù)是半導體元件制作中的一個關(guān)鍵環(huán)節(jié)，是制作集成電路的基礎。國外最早是在1958年，由仙童半導體公司 (Fairchild Semiconductor，也譯作“飛兆公司”)首先發(fā)展出平面工藝技術(shù)。中外差距：5年。

1962年，為解決晶體管制造難題，中國人民解放軍軍事工程學院四系四○四教研室康鵬（25歲）臨危受命，成功研發(fā)“隔離-阻塞振蕩器”（后被命名為康鵬電路），解決了晶體管的穩(wěn)定性問題，使中國比美國晚近8年進入晶體管時代。

在解決晶體管制造難題后，哈軍工（由慈云桂主持設計）成功研制出新中國第一臺全晶體管計算機441B-I于1964年誕生，比美國第一臺全晶體管計算機RCA501只晚了6年。441B計算機1966年參加北京的計算機展覽，恰逢邢臺大地震，在地震中穩(wěn)定運行。

1964年，吳幾康成功研制119計算機，該計算機運算能力為每秒5萬次，運算能力略強于美國于1958年制造的IBM 709計算機，IBM 709計算機的運算能力為每秒4.2萬次。119計算機同1965年研制成功的109機，在我國研制氫彈的歷程中立下很大功勞，被稱為“功勛機”。

119計算機

1965年12月，河北半導體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導體管，并在國內(nèi)首先鑒定了DTL型（二極管―晶體管邏輯）數(shù)字邏輯電路。1966年底，在工廠范圍內(nèi)上海元件五廠鑒定了TTL（晶體管-晶體管邏輯）電路產(chǎn)品。DTL和TTL都是雙極型數(shù)字集成電路，它們的研制成功標志著中國已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路。國外最早：1958年-1959年，美國德州儀器公司和仙童公司各自研制發(fā)明了半導體集成電路，1960年仙童半導體研發(fā)了第一塊商用集成電路。中外差距：5-7年。

有了初級規(guī)模的集成電路，就有了制造第三代計算機（中、小規(guī)模集成電路）的基礎。中國第一臺第三代計算機是由位于北京的華北計算技術(shù)研究所研制成功的，采用DTL型數(shù)字電路，與非門是由北京電子管廠生產(chǎn)，與非驅(qū)動器是由河北半導體研究所生產(chǎn)，展出年代是1968年。國外最早是在1961年，德州儀器為美國空軍研發(fā)出第一個基于集成電路的計算機，即所謂的“分子電子計算機”。中外差距：7年。

與雙極型電路相比，MOS（金屬氧化物）電路具有電路簡單、功耗低、集成度高的優(yōu)勢。 1968年，上海無線電十四廠首家制成PMOS（P型金屬氧化物半導體）電路，拉開了我國發(fā)展MOS電路的序幕，并在七十年代初，永川半導體研究所（現(xiàn)電子第24所）、上無十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路，之后又研制成CMOS電路（互補型MOS電路）。國外最早：1960年，美國無線電（RCA）制造出金屬氧化物半導體晶體管。1962年，美國無線電（RCA）制造了一個實驗性的MOS集成電路器件。1963年，仙童實驗室研制成CMOS電路。中外差距：6-7年。

1972年，我國自主研制的大規(guī)模集成電路在四川永川半導體研究所誕生，實現(xiàn)了從中小集成電路發(fā)展到大規(guī)模集成電路的跨越。國外：1971年，Intel（英特爾）推出1kb動態(tài)隨機存儲器（DRAM），包含2000多只晶體管，標志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)。中外差距：1年。

1975年，北京大學物理系半導體研究小組，由王陽元等人，設計出我國第一批三種類型的（硅柵NMOS、硅柵PMOS、鋁柵NMOS）1K DRAM動態(tài)隨機存儲器，它比美國英特爾公司研制的C1103要晚五年，但是比韓國、臺灣要早四五年。此時，臺灣才剛剛在向美國購買3英寸晶圓廠。

北京大學校史陳列館展示的相關(guān)器件

1975年，上海無線電十四廠成功開發(fā)出當時屬國內(nèi)最高水平的1024位移位存儲器，集成度達8820個元器件，達到國外同期水平。到上世紀70年代末，我國又陸續(xù)研制出256和1024位ECL高速隨機存儲器，后者達到國際同期的先進水平；可以生產(chǎn)NMOS256位和4096位、PMOS1024位隨機存儲器；掌握了對于大規(guī)模集成電路制造起著重要作用的無顯影光刻技術(shù)，可用于制造分子束外延設備。

總體來看，在這個時期，雖然美國計算機發(fā)展迅猛，但中國同行追得也很快，從無到有，差距逐漸縮小，甚至在某些局部領域追平西方，達到先進水平。中科院上海冶金所還獨立發(fā)展了制造集成電路所需要的離子注入機，并出口到日本。

截至70年代末，中國科研人員和產(chǎn)業(yè)工人發(fā)揚自力更生、自強不息的精神，建成了中國自己的半導體工業(yè)，基本掌握了從單晶制備、設備制造、集成電路制造的全過程技術(shù)。在當時，只有美國、蘇聯(lián)掌握從單晶制備、設備制造、集成電路制造的全過程技術(shù)，雖然日本技術(shù)很強，但個別領域被美國限制和閹割。而此時，韓國、臺灣才剛剛起步。

3、前三十年集成電路事業(yè)迅速趕超發(fā)展的經(jīng)驗

總結(jié)新中國前三十年集成電路事業(yè)的趕超發(fā)展，有幾點經(jīng)驗值得今天學習（專業(yè)研究產(chǎn)業(yè)問題的學者鐵流對此有很好的總結(jié)，筆者也頗為認同，以下部分參考了其文中的一些觀點或論述）：

一是堅持自主研發(fā)的趕超路線。

貫穿前三十年技術(shù)進步的是自力更生，艱苦奮斗的精神。50年代，即使我國已經(jīng)引進了蘇聯(lián)的技術(shù)資料，依舊保留自己的技術(shù)研發(fā)團隊，例如夏培肅于1954年即著手基本邏輯電路的設計、試驗和運算器、控制器的邏輯設計，這為我國同蘇聯(lián)交惡后自主研制計算機打下了堅實的基礎。此后，中國的科研工作人員在沒有外援的情況下，自力更生，完成了一個又一個技術(shù)攻關(guān)。從有國外留學經(jīng)驗的老科學家，到共和國自己培養(yǎng)的年輕科研人員，都發(fā)揮了極大創(chuàng)造力，例如前述25歲就研發(fā)出“隔離-阻塞振蕩器”，解決重大技術(shù)難題的康鵬。

這一時期，中國也抓住有利時機從國外引進先進技術(shù)設備。進行充分消化吸收。但無論是50年代末引進蘇聯(lián)技術(shù)資料，還是70年代通過特殊渠道少量購買歐美先進設備，走的是都“消化吸收、融會貫通、推陳出新、舉一反三”的路線，技術(shù)引進不僅沒對自主技術(shù)造成沖擊，反而使其融入自己的工業(yè)體系中，使中國自主技術(shù)更上一層樓。

70年代，通過購買國外單臺設備，我國自己組建了三條生產(chǎn)線，以緩解國內(nèi)制造計算機的迫切需要。1972年美國總統(tǒng)尼克松訪華后，中國開始從歐美引進技術(shù)。對于當時屬于高科技領域的半導體產(chǎn)業(yè)，中國雖然始終無法從官方途徑大規(guī)模引進半導體設備和技術(shù)資料，但也通過特殊渠道少量購買單機設備，并將其消化吸收后，大量仿制，推陳出新，搭建了自己的生產(chǎn)線。

在此期間，西方有意遏制中國尖端技術(shù)的發(fā)展勢頭，1973年我國7個單位分別從國外引進單臺設備，以期建成七條3英寸工藝線，但由于歐美技術(shù)封鎖等各種因素，最終拖了7年才引進，引進時已經(jīng)落后于國際先進水平。這也說明不論什么時候，什么條件下，堅持自主創(chuàng)新為主始終是第一位的。

二是重視科研投入和科研人才培養(yǎng)。

新中國前三十年的社會主義建設時期，我國依靠“高積累、低消費”的方式集中大量資源用于國家工農(nóng)業(yè)基礎設施的建設和國防技術(shù)研發(fā)，一代人吃兩代人的苦，將一個落后的農(nóng)業(yè)國建設成為擁有核武器的世界第六大工業(yè)國，計算機、集成電路這樣的高科技產(chǎn)業(yè)也從無到有，發(fā)展壯大。

在此期間，雖然國家財政并不富余，但中國用于科技研發(fā)的經(jīng)費占國民生產(chǎn)總值的平均比例為1.28%，達到當時幾個初等發(fā)達國家的平均水平（如意大利、西班牙）；到70年代末，隨著經(jīng)濟實力的提升該比值提升到2.32%，做到了竭盡所能為科研工作保障資金。這一投入遠遠超越改革開放后的水平（80年代中期以后一度降到0.6%以下），達到同期幾個最發(fā)達國家英、法、西德的水平，僅比當時的美國、日本低一些（美國長期為2.8-3.0%，日本70年代以前1.6%，進入70年代后與美國接近）。

在人才方面，我國一方面積極吸引在海外留學、工作的技術(shù)人才回國效力；另一方面積極培育自己的人才，在開設短期速成班的同時，在院校開設計算機專業(yè)，培育專業(yè)技術(shù)人才，并送優(yōu)秀尖子赴蘇聯(lián)深造。高水平的科研經(jīng)費比例，保證了即便在困難時期和政治動蕩的年份，也能盡可能的為科研人員提供基本的生活、工作條件。

三是全國統(tǒng)籌協(xié)作的研發(fā)模式。

從前述列舉的重大成就來看，當時的科研單位雖然分散在全國各地，但在重大問題的攻堅上卻是協(xié)同作戰(zhàn)和成功共享的。在全國統(tǒng)籌協(xié)作的舉國體制下，各個單位互幫互助，以集中全國科研力量攻堅克難的方式解決了科研道路一個個難題。國家還經(jīng)常舉辦各種展覽會，方便各單位進行技術(shù)交流。

正是在自力更生、艱苦奮斗的精神和公有制體制的保障下，我國計算機和集成電路事業(yè)在前三十年取得了一個又一個成就。

4、新中國半導體及集成電路發(fā)展大事記：

1956年，中央提出了“向科學進軍”的口號。周恩來隨后主持制定了“十二年科學技術(shù)發(fā)展遠景規(guī)劃”（以下簡稱“科學規(guī)劃”）。他有遠見地提出和確定了四項“緊急措施”，即大力發(fā)展計算機、無線電電子學、半導體、自動化，并將新技術(shù)應用于工業(yè)和國防。

1956年，在周總理的正確領導下，我國提出“向科學進軍”，根據(jù)國外發(fā)展電子器件的進程，提出了中國也要研究半導體科學，把半導體技術(shù)列為國家四大緊急措施之一。中國科學院應用物理所首先舉辦了半導體器件短期培訓班。請回國的半導體專家黃昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導體理論、晶體管制造技術(shù)和半導體線路。在五所大學――北京大學、復旦大學、吉林大學、廈門大學和南京大學聯(lián)合在北京大學開辦了半導體物理專業(yè)，共同培養(yǎng)第一批半導體人才。培養(yǎng)出了第一批著名的教授：北京大學的黃昆、復旦大學的謝希德、吉林大學的高鼎三。1957年畢業(yè)的第一批研究生中有中國科學院院士王陽元(北京大學微電子所所長)、工程院院士許居衍(華晶集團中央研究院院長)和電子工業(yè)部總工程師俞忠鈺(北方華虹設計公司董事長)。

1957年，北京電子管廠通過還原氧化鍺，拉出了鍺單晶。中國科學院應用物理研究所和二機部十局第十一所開發(fā)鍺晶體管。當年，中國相繼研制出鍺點接觸二極管和三極管(即晶體管)。

1958年，美國德州儀器公司和仙童公司各自研制發(fā)明了半導體集成電路(IC)之后，發(fā)展極為迅猛，從SSI(小規(guī)模集成電路)起步，經(jīng)過MSI(中規(guī)模集成電路)，發(fā)展到LSI(大規(guī)模集成電路)，然后發(fā)展到現(xiàn)在的VLSI(超大規(guī)模集成電路)及最近的ULSI(特大規(guī)模集成電路)，甚至發(fā)展到將來的GSI(甚大規(guī)模集成電路)，屆時單片集成電路集成度將超過10億個元件。

1959年，天津拉制出硅(Si)單晶。

1960年，中科院在北京建立半導體研究所，同年在河北建立工業(yè)性專業(yè)化研究所――第十三所(河北半導體研究所)。

1962年，天津拉制出砷化鎵單晶(GaAs)，為研究制備其他化合物半導體打下了基礎。

1962年，我國研究制成硅外延工藝，并開始研究采用照相制版，光刻工藝。

1963年，河北省半導體研究所制成硅平面型晶體管。

1964年，河北省半導體研究所研制出硅外延平面型晶體管。

1965年12月，河北半導體研究所召開鑒定會，鑒定了第一批半導體管，并在國內(nèi)首先鑒定了DTL型(二極管――晶體管邏輯)數(shù)字邏輯電路。1966年底，在工廠范圍內(nèi)上海元件五廠鑒定了TTL電路產(chǎn)品。這些小規(guī)模雙極型數(shù)字集成電路主要以與非門為主，還有與非驅(qū)動器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。標志著中國已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路。

1968年，組建國營東光電工廠(878廠)、上海無線電十九廠，至1970年建成投產(chǎn)，形成中國IC產(chǎn)業(yè)中的“兩霸”。

1968年，國防科委在四川永川縣，成立固體電路研究所（即永川半導體研究所，解放軍1424研究所，現(xiàn)中電集團24所）。這是中國唯一的模擬集成電路研究所。同年上海無線電十四廠首家制成PMOS（P型金屬-氧化物半導體）電路。拉開了中國發(fā)展MOS集成電路的序幕。七十年代初，永川半導體研究所(現(xiàn)電子第24所)、上無十四廠和北京878廠相繼研制成功NMOS電路。之后，又研制成CMOS電路。

七十年代初，IC價高利厚，需求巨大，引起了全國建設IC生產(chǎn)企業(yè)的熱潮，共有四十多家集成電路工廠建成，四機部所屬廠有749廠(永紅器材廠)、871(天光集成電路廠)、878(東光電工廠)、4433廠(風光電工廠)和4435廠(韶光電工廠)等。各省市所建廠主要有：上海元件五廠、上無七廠、上無十四廠、上無十九廠、蘇州半導體廠、常州半導體廠、北京半導體器件二廠、三廠、五廠、六廠、天津半導體(一)廠、航天部西安691廠等等。

1972年，中國第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導體研究所研制成功。

1973年，我國7個單位分別從國外引進單臺設備，期望建成七條3英寸工藝線，最后只有北京878廠，航天部陜西驪山771所和貴州都勻4433廠。

1975年，北京大學物理系半導體研究小組，由王陽元等人，設計出我國第一批三種類型的（硅柵NMOS、硅柵PMOS、鋁柵NMOS）1K DRAM動態(tài)隨機存儲器，它比美國英特爾公司研制的C1103要晚五年，但是比韓國、臺灣要早四五年。那時韓國、臺灣根本就沒有電子工業(yè)科研基礎。

1975年，上海無線電十四廠成功開發(fā)出當時屬國內(nèi)最高水平的1024位移位存儲器，集成度達8820個元器件，達到國外同期水平。

1976年11月，中國科學院計算所研制成功1000萬次大型電子計算機，所使用的電路為中國科學院109廠(現(xiàn)中科院微電子中心)研制的ECL型(發(fā)射極耦合邏輯)電路。

1978年10月，中國科學院成立半導體研究所，由王守武領導，研制4K DRAM，次年在中科院109廠投入批量生產(chǎn)（比美國晚六年）。

由于有周恩來主持制定的科學規(guī)劃，新中國的集成電路產(chǎn)業(yè)起步和發(fā)展，在帝國主義的封鎖下開了個好頭，經(jīng)過20余年的辛勤奮斗，盡管與世界發(fā)達水平還有一定距離，但也是碩果累累。